Die BDM-Formelsammlung
zur Vorlesung "Bauelemente der Mikroelektronik 1" an der Universität Stuttgart

BDM-Formelsammlung als PDF-Datei (stand 24.08.2001 - 39 kB)

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- Änderungen seit dem Posten im Eti2000-Forum -

- in der Tabelle ist m*_n/m₀ von Si = 0,328 und nicht 0,382
- Vertauschtes N_D und N_A bei der Raumladungsdichte korrigiert
- Bei den beiden Formeln für die intrinsische Ladungsträgerdichte ( n =... ; p=...) das Minus im Exponenten ergänzt
- Die Klammer bei der intrinsischen Ladungsträgerdichte (n_i=...) ist richtig !
(siehe Skript Seite 60; Paragraph  2.10.4, mit np=n_i²)

- Änderungen vom 24.08.2001 -

- bei der Temperaturabhängigkeit der Leitfähigkeit sigma₀angegeben
- einige offensichtliche Klammerfehler beseitigt
- Tabelle für effektive Zustandsdichte N_c und N_v "bei 300 K" hinzugefügt

Danke an alle, die Korrekturvorschläge gemacht haben

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